參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH6N100F
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFETs
中文描述： 6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 820K
代理商： IXFH6N100F
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
Q
g
- nanocoulombs
0
10
20
30
40
50
V
G
0
2
4
6
8
10
I
D
= 3A
I
G
= 10mA
V
DS
= 500V
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
40
50
70
200
300
400
500
700
2000
100
1000
Crss
Coss
Ciss
f = 1MHz
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D = Duty Cycle
D=0.2
D=0.1
D=0.5
D=0.05
D=0.02
D=0.01
Single pulse
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
Fig. 7. Gate Charge Characteristic Curve
Fig. 8. Capacitance Curves
Fig. 9. Source Current vs. Source to Drain Voltage
Fig. 10. Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT6N100F Power MOSFETs
IXFH6N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.9Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH6N100 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻2.0Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻28mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH6N100Q 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120P 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IXFH70N15 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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