參數(shù)資料
型號： IXFH6N100F
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFETs
中文描述： 6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 820K
代理商： IXFH6N100F
2002 IXYS All rights reserved
IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
V
GS
- Volts
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
I
D
0
2
4
6
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
2
4
6
8
T
J
- Degrees C
-25
0
25
50
75
100
125
150
R
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
D
- Amperes
0
2
4
6
8
10
12
R
D
0
1
2
3
4
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
I
D
0
2
4
6
8
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
2
4
6
8
10
12
5V
V
GS
= 10V
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
6V
5V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
O
C
6V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
o
C
T
J
= -40
o
C
I
D
= 6A
I
D
= 3A
V
GS
= 10V
Fig. 1. Output Characteristics at 25
o
C
Fig. 2. Output Characteristics at 125
o
C
Fig. 3. R
DS(ON)
vs. Drain Current
Fig. 4. R
DS(ON)
vs. T
J
Fig. 5. Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 6. Admittance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT6N100F Power MOSFETs
IXFH6N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.9Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH6N100 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻2.0Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導(dǎo)通電阻28mΩ的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH6N100Q 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120P 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HiPerFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXFH70N15 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*