參數(shù)資料
型號： IXFH6N100F
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFETs
中文描述： 6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 820K
代理商： IXFH6N100F
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
IXFH 6N100F
IXFT 6N100F
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
3
5.5
S
C
iss
C
oss
C
rss
1770
186
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
53
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
11
8.6
21
8.3
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2.0
(External),
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
54
14
27
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.65
K/W
K/W
(TO-247)
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
6
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
24
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
0.6
μ
C
I
RM
4
A
I
F
= I
S
,-di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
1 2 3
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.752
.106
.055
L2
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
1.00
1.15
.039
.045
.150
.161
Min Recommended Footprint
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT6N100F Power MOSFETs
IXFH6N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻1.9Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH6N100 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻2.0Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH70N15 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓150V,導通電阻28mΩ的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH75N10Q HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH6N100Q 功能描述:MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N120P 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH6N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HiPerFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXFH70N15 功能描述:MOSFET 70 Amps 150V 0.028 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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