參數資料
型號： IXFH4N100Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻3.0Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 4 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： IXFH4N100Q
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 4N100Q
IXFT 4N100Q
T
C
- Degrees Centigrade
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
1
2
3
4
5
Pulse Width - Seconds
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
R
J
0.01
0.10
1.00
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
C
10
100
1000
V
SD
- Volts
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
0
2
4
6
8
10
Gate Charge - nC
0
10
20
30
40
50
60
V
G
0
3
6
9
12
15
Crss
Coss
Ciss
V
DS
= 600 V
I
D
= 3 A
I
G
= 10 mA
f = 1MHz
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
60
2000
Figure 7. Gate Charge
Figure 8. Capacitance Curves
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
Figure10. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Resistance
相關PDF資料
PDF描述
IXFH50N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導通電阻45mΩ的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFM58N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT50N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT58N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20 HiPerFET Power MOSFETs
相關代理商/技術參數
參數描述
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