參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH4N100Q
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻3.0Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 4 A, 1000 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： IXFH4N100Q
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 4N100Q
IXFT 4N100Q
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
D
0
1
2
3
4
V
DS
- Volts
0
5
10
15
20
I
D
0
1
2
3
4
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
GS
- Volts
3
4
5
6
7
8
I
D
0
1
2
3
4
I
D
- Amperes
0
1
2
3
4
5
6
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
CE
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7V
6V
VGS = 10V
VGS = 10V
9V
8V
TJ
= 25
°
C
VGS = 10V
9V
8V
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
5V
5V
TJ = 25
°
C
T
J
= 125
°
C
6V
7V
5V
6V
7V
VGS = 10V
9V
8V
TJ = 125OC
VGS = 10V
ID = 2A
TJ = 25OC
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 2. Extended Output Characteristics at 125
O
C
Figure 3. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 6. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. T
J
Figure 5. R
DS(on)
normalized to 0.5 I
D25
value vs. I
D
Figure 4. Admittance Curves
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH50N20 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(導(dǎo)通電阻45mΩ的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFM58N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT50N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFT58N20 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20 HiPerFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH50N20 功能描述:MOSFET DIODE Id50 BVdass200 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH50N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH50N20S 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-264AA
IXFH50N30Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH50N50P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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