- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383186 > IXBJ40N140 (IXYS CORP) N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXBJ40N140 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET) |
| 中文描述： | 33 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | LEADED TO-268, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | IXBJ40N140 |
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
E
o
0
1
2
3
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
t
f
0
10
20
30
40
50
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
t
d
0
100
200
300
400
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
E
o
0
1
2
3
Single Pulse
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
IXBH40
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 960V
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
IXBJ 40N140
IXBJ 40N160
Fig. 7 Turn off Energy vs. Collector Current
Fig. 8 Collector Current Fall Time
Fig. 9 Turn-off Energy vs. Gate Resistance
Fig.10 Turn Off Delay Time vs. Gate
Resistance
Fig.11 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDD404 | 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD404PI | 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD404SI | 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD404SI-16 | 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
| IXDD404SIA | 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXBK55N300 | 功能描述:IGBT 3000V 130A 625W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IXBK64N250 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC BIMOSFET 2500V 75A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXBK75N170 | 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 200A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXBK75N170A | 功能描述:MOSFET 65Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXBL64N250 | 功能描述:MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。