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參數(shù)資料
| 型號： | IXBJ40N140 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強型高電壓BIMOSFET) |
| 中文描述： | 33 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | LEADED TO-268, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | IXBJ40N140 |
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0.1
1
10
100
V
F
- Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
F
0
10
20
30
40
50
60
70
V
CE
- Volts
0
2
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I
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50
60
70
Q
G
- nanocoulombs
0
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60
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140
V
G
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V
CE
- Volts
0
2
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I
C
0
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20
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50
60
70
13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 17V
T
J
= 125
°
C
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CE
= 600V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
15V
V
GE
- Volts
5
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I
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0
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13V
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= 17V
15V
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= 20V
T
J
= 125
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C
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J
= 25
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C
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= 125
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J
= 25
°
C
IXBH 40N140
IXBH 40N160
IXBJ 40N140
IXBJ 40N160
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 High Temperature Output Chacteristics
Fig. 3 Transfer Characteristics
Fig. 4 Forward voltage drop of the Intrinsic
Diode
Fig. 5 Gate Charge Characteristics
Fig. 6 Reverse Based Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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