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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXBJ40N140 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET) |
| 中文描述： | 33 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | LEADED TO-268, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | IXBJ40N140 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
IXBJ 40N140
IXBJ 40N160
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
3300
220
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
30
Q
g
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V, V
GE
= 15 V
130
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
R
thJC
R
thCK
200
60
270
40
ns
ns
ns
ns
0.35 K/W
0.25
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V, Pulse test,
t 300 ms, duty cycle d 2 %
2.5
5
V
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 960 V, R
G
= 22
Leaded TO-268
Dim.
Inches
Min
.193
.106
.045
.075
.016
.057
.543
.488
.624
.524
.215 BSC
1.365
.780
.079
.039
Millimeters
Min
4.90
2.70
1.15
1.90
.040
1.45
13.80 14.00
12.40 12.70
15.85 16.05
13.30 13.60
5.45 BSC
34.67 35.43
19.81 20.32
2.00
1.00
Max
.201
.114
.057
.083
.026
.063
.551
.500
.632
.535
Max
5.10
2.90
1.45
2.10
.065
1.60
A
A1
b
b2
C
C2
D
D1
E
E1
e
H
L
L1
L2
1.395
.800
.091
.045
2.30
1.15
All metal area are
solder plated
1 - gate
2 - drain (collector)
3 - source (emitter)
4 - drain (collector)
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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