參數(shù)資料
型號： IXBH9N160G
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 9 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： IXBH9N160G
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
C4
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
I
C
- Amperes
0
2
4
6
8
10
12
14
16
t
f
40
60
80
100
120
140
R
g
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
t
d
-
0
50
100
150
200
250
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse
V
CE
= 960V
V
GE
= 10V
R
G
= 27
T
J
= 125°C
IXBH 9-140/160G
V
CE
= 960V
V
GE
= 10V
I
C
= 5A
T
J
= 125°C
Fig. 7 Typ. Fall Time
Fig. 8 Typ. Turn Off Delay Time
Fig. 9 Typ. Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
IXDD404 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404PI 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404SI 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404SI-16 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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