參數(shù)資料
型號： IXBH9N160G
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 9 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： IXBH9N160G
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
C4
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0
5
10
15
V
F
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
F
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- nanocoulombs
Typ. Gate Charge characteristics
0
10
20
30
40
50
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
5
10
15
20
25
30
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 600V
I
C
= 5A
T
J
= 125°C
V
CEK
< V
CES
V
GE
- Volts
4
6
8
10
12
14
I
C
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
= 20V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
7V
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
5
10
15
20
25
30
13V
11V
V
GE
= 17V
15V
9V
7V
13V
11V
V
GE
= 17V
15V
9V
Fig. 1
Typ. Output Characteristics
Fig. 2
Typ. Output Characteristics
Fig. 3
Typ. Transfer Characteristics
Fig. 4
Typ. Characteristics of Reverse
Conduction
Fig. 5
Fig. 6
Reverse Biased Safe Operating Area
RBSOA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IXDD404 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
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參數(shù)描述
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