參數(shù)資料
型號： IXBH9N160G
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 9 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 63K
代理商： IXBH9N160G
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
C4
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
550
36
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
5
Q
g
I
C
= 5 A, V
CE
= 600 V, V
GE
= 10 V
34
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
R
thJC
R
thCK
140
200
120
70
ns
ns
ns
ns
1.25 K/W
0.25
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V
3.6
5
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
, V
= 10 V, L = 100
μ
H,
V
CE
= 960 V, R
G
= 27
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
TO-247 AD Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
IXDD404 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404PI 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404SI 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404SI-16 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
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參數(shù)描述
IXBK55N300 功能描述:IGBT 3000V 130A 625W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXBK64N250 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC BIMOSFET 2500V 75A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXBK75N170 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 200A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXBK75N170A 功能描述:MOSFET 65Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXBL64N250 功能描述:MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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