參數(shù)資料
型號(hào)： IXBH9N140G
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 9 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 63K
代理商： IXBH9N140G
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
C4
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0
5
10
15
V
F
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
F
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- nanocoulombs
Typ. Gate Charge characteristics
0
10
20
30
40
50
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
5
10
15
20
25
30
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 600V
I
C
= 5A
T
J
= 125°C
V
CEK
< V
CES
V
GE
- Volts
4
6
8
10
12
14
I
C
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
= 20V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
7V
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
5
10
15
20
25
30
13V
11V
V
GE
= 17V
15V
9V
7V
13V
11V
V
GE
= 17V
15V
9V
Fig. 1
Typ. Output Characteristics
Fig. 2
Typ. Output Characteristics
Fig. 3
Typ. Transfer Characteristics
Fig. 4
Typ. Characteristics of Reverse
Conduction
Fig. 5
Fig. 6
Reverse Biased Safe Operating Area
RBSOA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBH9N160G High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBJ40N140 N-Channel, Enhancement Mode High Voltage BIMOSFET(VCES為1400V，VCE(sat)為7.1V的N溝道增強(qiáng)型高電壓BIMOSFET)
IXDD404 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404PI 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXDD404SI 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXBH9N160 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.6KV V(BR)CES | 9A I(C) | TO-247AD
IXBH9N160G 功能描述:IGBT 晶體管 9 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBK55N300 功能描述:IGBT 3000V 130A 625W TO264 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXBK64N250 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC BIMOSFET 2500V 75A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXBK75N170 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 200A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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