參數(shù)資料
型號： IXBH15N160
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
中文描述： 15 A, 1600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： IXBH15N160
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0.1
1
10
100
V
F
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
I
F
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
- nanocoulombs
Typ. Gate Charge characteristics
0
10
20
30
40
50
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 9A
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
15V
V
GE
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
13
I
C
0
10
20
30
40
50
60
13V
V
GE
= 17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
IXBH 15N140
IXBH 15N160
T
J
= 125
°
C
Fig. 1
Typ. Output Characteristics
Fig. 2
Typ. Output Characteristics
Fig. 3
Typ. Transfer Characteristics
Fig. 4
Typ. Characteristics of Reverse
Conduction
Fig. 5
Fig. 6
Reverse Biased Safe Operating Area
RBSOA
IXBH 15N140
IXBH 15N160
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBH16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N140 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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參數(shù)描述
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IXBH16N170A 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 16A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH1791 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXBH20N140 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH20N160 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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