參數(shù)資料
型號(hào)： IXBF9N140
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage BIMOSFET
中文描述： 7 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS, I4PAC-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： IXBF9N140
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0
5
10
15
V
F
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
F
0
5
10
15
20
25
30
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- nanocoulombs
0
10
20
30
40
50
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
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I
C
0
5
10
15
20
25
30
13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 5A
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
15V
V
GE
- Volts
4
6
8
10
12
14
I
C
0
5
10
15
20
25
30
13V
V
GE
= 17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
IXBF 9N140
IXBF 9N160
Fig. 1
Typ. Output Characteristics
Fig. 2
Typ. Output Characteristics
Fig. 3
Typ. Transfer Characteristics
Fig. 4
Typ. Characteristics of Reverse
Conduction
Fig. 5
Typ. Gate Charge characteristics
Fig. 6
Reverse Biased Safe Operating Area
RBSOA
IXBF 9N140
IXBF 9N160
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBF9N160 High Voltage BIMOSFET
IXBH15N140 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH15N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXBF9N160 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:High Voltage BIMOSFET
IXBF9N160G 功能描述:IGBT 晶體管 9 Amps 1600V 1600V 9A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH 16N170 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXBH10N170 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 1700V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXBH12N300 功能描述:IGBT 3000V 30A 160W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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