參數(shù)資料
型號: IXBF9N140
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: High Voltage BIMOSFET
中文描述: 7 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOPLUS, I4PAC-3
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 91K
代理商: IXBF9N140
2000 IXYS All rights reserved
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IXBF 9N140
IXBF 9N160
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
stg
-55...+150
-55...+125
C
C
V
ISOL
I
ISOL
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
F
C
mounting force with clip
20...120
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
d
S
,d
A
d
S
,d
A
C pin - E pin
pin - backside metal
7
mm
mm
5.5
R
thCH
with heatsink compound
0.15
K/W
Weight
9
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBF9N160 High Voltage BIMOSFET
IXBH15N140 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH15N160 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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IXBT16N170A High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
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參數(shù)描述
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IXBH10N170 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 1700V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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