參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9N303AS3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз
中文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： ISL9N303AS3ST
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
ISL9N303AP3 / ISL9N303AS3ST / ISL9N303AS3, Rev. C1
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT ISL9N303AP3 2 1 3 ;
Ca 12 8 6.3e-9
Cb 15 14 3.8e-9
Cin 6 8 6.7e-9
rev May 2001
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 30.6
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 5.618e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 1.98e-9
RLgate 1 9 56.1
RLdrain 2 5 15
RLsource 3 7 19.8
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 0.9e-3
Rgate 9 20 0.639
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 1.8e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*500),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=8e-11 N=1.06 RS=2.3e-3 TRS1=1.1e-3 TRS2=3e-6
+ CJO=2.6e-9 M=0.43 TT=3e-10 XTI=0.1)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.3 TRS1=1.8e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=2.05e-9 IS=1e-30 N=10 M=0.46)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.16 KP=270 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=1.65 KP=20 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=0.639)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.29 KP=0.1 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=6.39 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.05e-3 TC2=-7e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1e-2 TC2=1.8e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3.5e-4 TC2=5e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-3e-3 TC2=-11e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-1.5e-3 TC2=1.4e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-5 VOFF=-4)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-5)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.9 VOFF=0.2)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.2 VOFF=-0.9)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
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5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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PDF描述
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ISL9N306AD3ST 功能描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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