參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9N303AS3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз
中文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 269K
代理商： ISL9N303AS3ST
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
ISL9N303AP3 / ISL9N303AS3ST / ISL9N303AS3, Rev. C1
SPICE Thermal Model
REV May 2001
ISL9N303AP3
CTHERM1 TH 6 3.9e-3
CTHERM2 6 5 7.1e-3
CTHERM3 5 4 8.7e-3
CTHERM4 4 3 9.6e-3
CTHERM5 3 2 1e-2
CTHERM6 2 TL 2.4e-2
RTHERM1 TH 6 3.9e-5
RTHERM2 6 5 7.5e-4
RTHERM3 5 4 4.8e-3
RTHERM4 4 3 2.7e-2
RTHERM5 3 2 1.6e-1
RTHERM6 2 TL 3.7e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model ISL9N303AP3
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =3.9e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =7.1e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =8.7e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =9.6e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =1e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =2.4e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =3.9e-5
rtherm.rtherm2 6 5 =7.5e-4
rtherm.rtherm3 5 4 =4.8e-3
rtherm.rtherm4 4 3 =2.7e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =1.6e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.7e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL9N303AS3 N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз
ISL9N304AS3ST N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 4.5mз
ISL9N304AP3 N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 4.5mз
ISL9N306AD3ST N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз
ISL9N306AD3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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ISL9N304AS3ST 功能描述:MOSFET 30V 75a 4.5 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ISL9N306AD3 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Logic Level PWM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ISL9N306AD3ST 功能描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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