參數(shù)資料
型號(hào)： ISL9N303AS3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз
中文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 269K
代理商： ISL9N303AS3ST
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
ISL9N303AP3 / ISL9N303AS3ST / ISL9N303AS3, Rev. C1
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 13. Switching Time vs Gate Resistance
Figure 14. Switching Time vs Gate Resistance
Typical Characteristics
1000
10000
0.1
1
10
30
300
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
50
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
100
150
V
G
,
V
DD
= 15V
I
D
= 75A
I
D
= 10A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
0
100
200
300
400
500
0
10
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
20
30
40
50
S
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V, I
D
= 24A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V, I
D
= 24A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ISL9N303AS3 N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз
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ISL9N306AD3 N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mз
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參數(shù)描述
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