- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377571 > IS62WV25616ALL-70BI (INTEGRATED SILICON SOLUTION INC) 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IS62WV25616ALL-70BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | IS62WV25616ALL-70BI |
IS62WV25616ALL, IS62WV25616BLL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
05/02/05
7
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OHA
t
OHA
t
RC
D
OUT
ADDRESS
AC WAVEFORMS
READ CYCLE NO. 1
(1,2)
(Address Controlled) (
CS1
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
,
UB
or
LB
= V
IL
)
t
RC
t
OHA
t
AA
t
DOE
t
LZOE
t
ACE1
t
LZCE1
t
HZOE
HIGH-Z
DATA VALID
t
HZCS1
ADDRESS
OE
CS1
DOUT
LB
,
UB
t
HZB
t
BA
t
LZB
READ CYCLE NO. 2
(1,3)
(
CS1
,
OE
, AND
UB
/
LB
Controlled)
Notes:
1.
WE
is HIGH for a Read Cycle.
2. The device is continuously selected.
OE
,
CS1
,
UB
, or
LB
= V
IL
.
WE
=V
IH
.
3. Address is valid prior to or coincident with
CS1
LOW transition.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV25616ALL-70T | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616ALL-70TI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL-55BI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL-55BLI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV25616ALL-70T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616ALL-70TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL-55BI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV25616BLL-55BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mb 256Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。