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參數(shù)資料
| 型號： | IS62WV25616ALL-70BI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| 中文描述： | 256K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 6/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商： | IS62WV25616ALL-70BI |
6
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. C
05/02/05
IS62WV25616ALL, IS62WV25616BLL
ISSI
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
55 ns
70 ns
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS1
t
DOE
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCS1
t
LZCS1
t
BA
t
HZB
t
LZB
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Read Cycle Time
55
—
70
—
ns
Address Access Time
—
55
—
70
ns
Output Hold Time
10
—
10
—
ns
CS1
Access Time
—
55
—
70
ns
OE
Access Time
—
25
—
35
ns
OE
to High-Z Output
—
20
—
25
ns
OE
to Low-Z Output
5
—
5
—
ns
CS1
to High-Z Output
0
20
0
25
ns
CS1
to Low-Z Output
10
—
10
—
ns
LB
,
UB
Access Time
—
55
—
70
ns
LB
,
UB
to High-Z Output
0
20
0
25
ns
LB
,
UB
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 0.9V/1.5V, input pulse levels of 0.4 to
V
DD
-0.2V/V
DD
-0.3V and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS62WV25616ALL-70T | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616ALL-70TI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL-55BI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL-55BLI | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS62WV25616ALL-70T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616ALL-70TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| IS62WV25616BLL-55BI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb 256Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS62WV25616BLL-55BI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb 256Kx16 55ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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