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參數(shù)資料
| 型號： | IS42VS16160D-75BLI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MS-207, BGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 10/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | IS42VS16160D-75BLI |
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18
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00A
04/21/09
IS42VS83200D, IS42VS16160D
IS45VS83200D, IS45VS16160D
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
SYMBOL PARAMETER
UNITS
—
ClockCycleTime
7.5
8
ns
—
OperatingFrequency
(CASLatency=3)
133
125
MHz
tcac
CAS
Latency
3
cycle
trcd
ActiveCommandToRead/WriteCommandDelayTime
3
cycle
trac
RAS
Latency(trcd + tcac)
CAS
Latency=3
6
cycle
trc
CommandPeriod(REFtoREF/ACTtoACT)
9
cycle
tras
CommandPeriod(ACTtoPRE)
6
cycle
trp
CommandPeriod(PREtoACT)
3
cycle
trrd
CommandPeriod(ACT[0]toACT[1])
2
cycle
tccd
ColumnCommandDelayTime
1
cycle
(READ,READA,WRIT,WRITA)
tdpl
InputDataToPrechargeCommandDelayTime
2
cycle
tdal
InputDataToActive/RefreshCommandDelayTime
5
cycle
(DuringAuto-Precharge)
trbd
BurstStopCommandToOutputinHIGH-ZDelayTime
CAS
Latency=3
3
cycle
(Read)
twbd
BurstStopCommandToInputinInvalidDelayTime
0
cycle
(Write)
trql
PrechargeCommandToOutputinHIGH-ZDelayTime
CAS
Latency=3
3
cycle
(Read)
twdl
PrechargeCommandToInputinInvalidDelayTime
0
cycle
(Write)
tpql
LastOutputToAuto-PrechargeStartTime(Read)
CAS
Latency=3
-2
cycle
tqmd
DQMToOutputDelayTime(Read)
2
cycle
tdmd
DQMToInputDelayTime(Write)
0
cycle
tmrd
ModeRegisterSetToCommandDelayTime
2
cycle
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS45VS16160D-8BLA2 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| IS43R32800B-5BL | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
| IS61C512-35JI | x8 SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS42VS16400C1 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-10TLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42VS16400C1-12T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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