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參數資料
| 型號： | IS42S16128-12T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 12 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-50 |
| 文件頁數： | 7/75頁 |
| 文件大小： | 638K |
| 代理商： | IS42S16128-12T |
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IS42S16128
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
03/13/00
7
OPERATING FREQUENCY / LATENCY RELATIONSHIPS
-8
-10
-12
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max.
Min. Typ. Max.
Min. Typ. Max.
Units
—
—
t
CAC
t
RCD
t
RAC
t
RC
t
RAS
t
RP
t
RRD
t
CCD
Clock Cycle Time
Operating Frequency
CAS
Latency
Active Command To Read/Write Command Delay Time
RAS
Latency (t
RCD
+ t
CAC
)
Command Period (REF to REF / ACT to ACT)
Command Period (ACT to PRE)
Command Period (PRE to ACT)
Command Period (ACT[0] to ACT [1])
Column Command Delay Time
(READ, READA, WRIT, WRITA)
Input Data To Precharge Command Delay Time
Input Data To Active/Refresh Command Delay Time
(During Auto-Precharge)
Burst Stop Command To Output in HIGH-Z Delay Time
(Read)
Burst Stop Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
Precharge Command To Output in HIGH-Z Delay Time
(Read)
Precharge Command To Input in Invalid Delay Time
(Write)
Last Output To Auto-Precharge Start Time (Read)
DQM To Output Delay Time (Read)
DQM To Input Delay Time (Write)
Mode Register Set To Command Delay Time
8
10
100
2
2
4
5
3
2
2
1
25
40
1
1
2
2
1
1
1
1
10
100
3
3
6
9
6
3
3
1
15
65
2
2
4
6
4
2
2
1
30
33
1
1
2
3
2
1
1
1
12
83
3
3
6
9
6
3
3
1
17
58
2
2
4
7
5
2
2
1
34
29
1
1
2
4
3
1
1
1
ns
MHz
cycle
cycle
cycle
cycle
cycle
cycle
cycle
cycle
125
3
3
6
9
6
3
3
1
t
DPL
t
DAL
1
4
1
3
1
2
1
4
1
3
1
2
1
4
1
3
1
2
cycle
cycle
t
RBD
3
2
1
3
2
1
3
2
1
cycle
t
WBD
0
0
0
0
0
0
0
0
0
cycle
t
RQL
3
2
1
3
2
1
3
2
1
cycle
t
WDL
0
0
0
0
0
0
0
0
0
cycle
t
PQL
t
QMD
t
DMD
t
MCD
–
2
2
0
2
–
1
2
0
2
0
2
0
2
–
2
2
0
2
–
1
2
0
2
0
2
0
2
–
2
2
0
2
–
1
2
0
2
0
2
0
2
cycle
cycle
cycle
cycle
AC TEST CONDITIONS (Input/Output Reference Level: 1.4V)
Input
Output Load
2.0V
1.4V
0.8V
CLK
INPUT
OUTPUT
t
CHI
t
CH
t
AC
t
OH
t
CS
t
CK
t
CL
2.0V
1.4V
1.4V
1.4V
0.8V
I/O
500
+1.4V
50 pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16128-8T | Chassis Mount and Din Rail Filters RoHS Compliant: Yes |
| IS42S16160B-7TL | 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16160B-7TLI | 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S83200B | 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S83200B-6T | 32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42S16128-8T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IS42S16160A-6T | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S16160A-6TL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256 Mb Synchronous DRAM |
| IS42S16160A-7T | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42S16160A-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
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