參數(shù)資料
型號(hào)： IS42S16100C1-7TLI
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁(yè)數(shù)： 79/79頁(yè)
文件大?。?/td> 755K
代理商： IS42S16100C1-7TLI
PACKAGING INFORMATION
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. F
06/18/03
Copyright 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.
Plastic TSOP
Package Code: T (Type II)
D
SEATING PLANE
b
e
C
1
N/2
N/2+1
N
E1
A1
A
E
L
α
ZD
.
Notes:
1. Controlling dimension: millimieters,
unless otherwise specified.
2. BSC = Basic lead spacing
between centers.
3. Dimensions D and E1 do not
include mold flash protrusions and
should be measured from the
bottom of the package.
4. Formed leads shall be planar with
respect to one another within
0.004 inches at the seating plane.
Plastic TSOP (T - Type II)
Millimeters
Min
Max
Millimeters
Min
Inches
Min
Inches
Min
Millimeters
Min
Inches
Min
Symbol
Ref. Std.
No. Leads (N)
A
A1
b
C
D
E1
E
e
L
ZD 0.95 REF 0.037 REF 0.81 REF 0.032 REF 0.88 REF 0.035 REF
α
0°
5°
0°
5°
0°
Max
Max
Max
Max
Max
32
44
50
—
0.05
0.30
0.12
20.82 21.08
10.03 10.29
11.56 11.96
1.27 BSC
0.40
1.20
0.15
0.52
0.21
—
0.002
0.012
0.005
0.820
0.391
0.451
0.050 BSC
0.016
0.047
0.006
0.020
0.008
0.830
0.400
0.466
—
0.05
0.30
0.12
18.31
10.03
11.56
0.80 BSC
0.41
1.20
0.15
0.45
0.21
18.52
10.29
11.96
—
0.002 0.006
0.012 0.018
0.005 0.008
0.721 0.729
0.395 0.405
0.455 0.471
0.032 BSC
0.016 0.024
0.047
—
0.05
0.30
0.12
20.82 21.08
10.03 10.29
11.56 11.96
0.80 BSC
0.40
1.20
0.15
0.45
0.21
—
0.002 0.006
0.012 0.018
0.005 0.008
0.820 0.830
0.395 0.405
0.455 0.471
0.031 BSC
0.016 0.024
0.047
0.60
0.024
0.60
0.60
5°
0°
5°
0°
5°
0°
5°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16100 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)Synchronous DRAM(512K x 16 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
IS42S16128 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-Mbit)Synchronous DRAM(128K x 16 x 2組同步動(dòng)態(tài)RAM)
IS42S16128-10T 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16128-12T 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16128-8T Chassis Mount and Din Rail Filters RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16100C1-7TLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TL-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7T-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問(wèn)時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C-7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S16100C-7TL-TR 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
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