參數(shù)資料
型號: IS42S16100C1-7TLI
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50
封裝: 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50
文件頁數(shù): 77/79頁
文件大小: 755K
代理商: IS42S16100C1-7TLI
IS42S16100C1
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
Rev. A
07/21/04
77
Read Cycle, Write Cycle / Burst Read, Single Write
CAS
latency = 3, burst length = 2
COLUMN n
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A9
A10
A11
DQM
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
t
CK
t
CHI
t
CL
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
CH
t
CS
t
AH
t
AS
BANK 1
BANK 0 AND 1
BANK 0 OR 1
NO PRE
NO PRE
AUTO PRE
t
CH
t
AH
t
AS
t
CS
t
AH
t
AS
t
CKS
t
CKA
BANK 0
BANK 0
BANK 1
BANK 1
BANK 0
BANK 1
BANK 0
ROW
COLUMN m
ROW
t
QMD
t
HZ
t
LZ
t
RAS
t
RC
<
ACT
>
<
READ
>
<
WRITA
>
<
WRIT
>
<
PALL
>
<
PRE
>
t
RC
t
CAC
t
DPL
t
RP
t
AC
t
AC
t
DH
t
DS
t
OH
D
OUT
m
t
OH
D
OUT
m+1
D
IN
n
T11
T12
(1)
(1)
Don't Care
Undefined
Note 1: A8,A9 = Don’t Care
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS42S16100 512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)Synchronous DRAM(512K x 16 x 2組同步動態(tài)RAM)
IS42S16128 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-Mbit)Synchronous DRAM(128K x 16 x 2組同步動態(tài)RAM)
IS42S16128-10T 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16128-12T 128K Words x 16 Bits x 2 Banks (4-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
IS42S16128-8T Chassis Mount and Din Rail Filters RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS42S16100C1-7TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS42S16100C1-7TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 16M 1Mx16 143Mhz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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IS42S16100C-7TL 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS42S16100C-7TL-TR 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: