參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR8503PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： IRLR8503PBF
www.irf.com
5
IRLR8503PbF
Figure 10. Typical Rds(on) vs. Gate-to-Source Voltage
Figure 8. Normalized On-Resistance vs. Temperature
IRLR8503
Typical Characteristics
Figure 9. Gate-to-Source Voltage vs. Typical Gate
Charge
Figure 11. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Figure 12. Typical Transfer Characteristics
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
RD
ID = 15A
VGS = 4.5V
0
4
8
12
16
QG, Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
VG
ID= 15A
VDS = 20V
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1C SHORTED
+ C
gd ,
+ C
ds
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1.0
10.0
100.0
1000.0
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0 11.0 12.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.010
0.011
0.012
0.013
0.014
0.015
RD
)
ID = 15A
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PDF描述
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