參數(shù)資料
型號： IRLR8503PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 244K
代理商： IRLR8503PBF
www.irf.com
1
12/06/04
IRLR8503PbF
IRLR8503PbF
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain or Source
Current (V
GS
≥
10V)
Symbol IRLR8503
V
DS
V
GS
I
D
44
32
Units
V
30
±20
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
A
Pulsed Drain Current
I
DM
P
D
196
Power Dissipation
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
62
W
30
Junction & Storage Temperature Range
T
J
,
T
STG
I
S
I
SM
–55 to 150
°C
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed source Current
15
A
196
N-Channel Application-Specific MOSFET
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
Low Conduction Losses
Minimizes Parallel MOSFETs for high current
applications
Lead-Free
Description
This new device employs advanced HEXFET Power
MOSFET technology to achieve very low on-resistance.
The reduced conduction losses makes it ideal for high
efficiency DC-DC converters that power the latest
generation of microprocessors.
The IRLR8503 has been optimized and is 100% tested for
all parameters that are critical in synchronous buck
converters including R
, gate charge and Cdv/dt-
induced turn-on immunity. The IRLR8503 offers an
extremely low combination of Q
sw
& R
DS(on)
for reduced
losses in control FET applications.
The package is designed for vapor phase, infra-red,
convection, or wave soldering techniques. Power
dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB
mount application.
HEXFET
MOSFET for DC-DC Converters
IRLR8503PbF
V
DS
R
DS
(on)
Q
G
Q
sw
Q
oss
30V
18 m
20 nC
8 nC
29.5 nC
DEVICE RATINGS (MAX. Values)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient
R
θ
JA
R
θ
JL
50
°C/W
Maximum Junction-to-Lead
2.0
°C/W
Thermal Resistance
S
D
G
PD- 95095A
相關PDF資料
PDF描述
IRLR8503 HEXFET MOSFET for DC-DC Converters
IRLR8713PBF HEXFET Power MOSFET
IRLU8713PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLU8743PBF HEXFET㈢Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR8503TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR8503TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR8503TRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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