參數(shù)資料
型號(hào)： IRLR8503PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 244K
代理商： IRLR8503PBF
www.irf.com
2
IRLR8503PbF
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Diode Forward Voltage*
V
SD
Q
rr
–
1.0
V
I
S
= 15A , V
GS
= 0V
di/dt = 700A/μs
Reverse Recovery Charge
–
76
nC
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, I
S
= 15A
di/dt = 700A/μs
(with 10BQ040)
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, I
S
= 15A
Reverse Recovery Charge
(with Parallel Schottky)
Q
rr(s)
–
67
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Drain-to-Source
Breakdown Voltage*
V
(BR)DSS
30
–
–
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Static Drain-Source
R
DS
(on)
–
11
16
m
V
GS
= 10V, I
D
=15A
V
GS
= 4.5V, I
D
=15A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0
V
DS
= 24V, V
GS
= 0,
Tj = 100°C
on Resistance*
– 13 18
Gate Threshold Voltage*
V
GS
(th)
I
DSS
1.0
V
Drain-Source Leakage Current
–
–
30*
μA
–
–
150
Gate-Source Leakage Current*
I
GSS
Q
g
Q
g
Q
gs1
–
–
±100
nA
V
GS
= ±12V
V
GS
= 5V, I
D
= 15A, V
DS
=16V,
V
GS
= 5V, V
DS
< 100mV
V
DS
= 16V, I
D
= 15A
Total Gate Charge Control FET*
–
15
20
Total Gate Charge Sync FET*
–
13
17
Pre-Vth
Gate-Source Charge
–
3.7
–
Post-Vth
Gate-Source Charge
Q
gs2
–
1.3
–
nC
Gate to Drain Charge
Q
gd
Q
SW
Q
oss
R
g
t
d (on)
tr
v
t
d
(off)
tf
v
C
iss
C
oss
C
rss
–
4.1
–
Switch Charge* (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge*
–
5.4
8
–
23
29.5
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
Gate Resistance
–
1.7
–
Turn-on Delay Time
–
10
–
V
DD
= 16V, I
D
= 15A
V
GS
= 5V
Clamped Inductive Load
Drain Voltage Rise Time
–
18
–
ns
Turn-off Delay Time
–
11
–
Drain Voltage Fall Time
–
3
–
See test diagram Fig 14.
Input Capacitance
–
1650
–
Output Capacitance
–
650
–
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0
Reverse Transfer Capacitance
–
58
–
Electrical Characteristics
Source-Drain Rating & Characteristics
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
300 μs; duty cycle
≤
2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec.
*
Devices are 100% tested to these parameters.
Typ = measured - Q
Calculated continuous current based on maximum allowable
Junction temperature; switching and other losses will
decrease RMS current capability; package limitation
current = 20A.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR8503 HEXFET MOSFET for DC-DC Converters
IRLR8713PBF HEXFET Power MOSFET
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