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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRL540N-005PBF |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, 0.044 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | IRL540N-005PBF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI2505-003 | 58 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRLR024NPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR7821TRRPBF | 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| IRLU024NPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU4343PBF | 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRL540NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 36A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| IRL540NL | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRL540NLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL540NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRL540NS | 制造商:IR 功能描述:HEXFET 100v 36amp 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB |
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