參數(shù)資料
型號： IRLR7821TRRPBF
元件分類： JFETs
英文描述： 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： LEAD FREE, IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大小： 320K
代理商： IRLR7821TRRPBF
www.irf.com
1
10/02/06
IRLR7821PbF
IRLU7821PbF
HEXFET Power MOSFET
Notes
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PD - 95091B
Applications
Benefits
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Ultra-Low Gate Impedance
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l Lead-Free
D-Pak
IRLR7821PbF
I-Pak
IRLU7821PbF
VDSS RDS(on) max Qg
30V
10m
:
10nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
A
IDM
Pulsed Drain Current
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
PD @TC = 100°C Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
W/°C
TJ
Operating Junction and
°C
TSTG
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC
Junction-to-Case
–––
2.0
RθJA
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
g
–––
50
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient
–––
110
W
-55 to + 175
75
0.50
37.5
Max.
65
f
47
f
260
± 20
30
相關PDF資料
PDF描述
IRLU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU4343PBF 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRU1117CS 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR
IS28F002BVT-80TI 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40
IS28F020-12PLI 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR7833 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833CPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRLR7833HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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