參數(shù)資料
型號： IRLR7821TRRPBF
元件分類： JFETs
英文描述： 65 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： LEAD FREE, IPAK-3
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： IRLR7821TRRPBF
IRLR/U7821PbF
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
BVDSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
V
ΒVDSS/TJ
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
23
––– mV/°C
RDS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
7.5
10
m
–––
9.5
12.5
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
-5.3
––– mV/°C
IDSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
1.0
A
–––
150
IGSS
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
100
nA
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
-100
gfs
Forward Transconductance
46
–––
S
Qg
Total Gate Charge
–––
10
14
Qgs1
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
–––
2.0
–––
Qgs2
Post-Vth Gate-to-Source Charge
–––
1.2
–––
nC
Qgd
Gate-to-Drain Charge
–––
2.5
–––
Qgodr
Gate Charge Overdrive
–––
4.3
–––
See Fig. 16
Qsw
Switch Charge (Qgs2 + Qgd)
–––
3.7
–––
Qoss
Output Charge
–––
8.5
–––
nC
td(on)
Turn-On Delay Time
–––
11
–––
tr
Rise Time
–––
4.2
–––
td(off)
Turn-Off Delay Time
–––
10
–––
ns
tf
Fall Time
–––
3.2
–––
Ciss
Input Capacitance
–––
1030
–––
Coss
Output Capacitance
–––
360
–––
pF
Crss
Reverse Transfer Capacitance
–––
120
–––
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
dh
mJ
IAR
Avalanche Current
A
EAR
Repetitive Avalanche Energy
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
IS
Continuous Source Current
–––
65
f
(Body Diode)
A
ISM
Pulsed Source Current
–––
260
(Body Diode)
h
VSD
Diode Forward Voltage
–––
1.0
V
trr
Reverse Recovery Time
–––
26
38
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
–––
15
23
nC
ton
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
MOSFET symbol
VGS = 4.5V, ID = 12A
f
–––
VGS = 4.5V
Typ.
–––
ID = 12A
VGS = 0V
VDS = 15V
TJ = 25°C, IF = 12A, VDD = 15V
di/dt = 100A/s
f
TJ = 25°C, IS = 12A, VGS = 0V f
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
VDS = VGS, ID = 250A
VDS = 24V, VGS = 0V
VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C
Clamped Inductive Load
VDS = 15V, ID = 12A
Conditions
VGS = 0V, ID = 250A
Reference to 25°C, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 15A f
Conditions
7.5
Max.
230
12
= 1.0MHz
VDS = 16V, VGS = 0V
VDD = 15V, VGS = 4.5V f
ID = 12A
VDS = 16V
VGS = 20V
VGS = -20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU024NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU4343PBF 26 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRU1117CS 800mA LOW DROPOUT POSITIVE ADJUSTABLE REGULATOR
IS28F002BVT-80TI 256K X 8 FLASH 5V PROM, 110 ns, PDSO40
IS28F020-12PLI 256K X 8 FLASH 12V PROM, 120 ns, PQCC32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLR7833 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833CPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833CTRLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833CTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLR7833HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*