參數(shù)資料
型號(hào): IRGPS40B120UD
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 40A條一(c)|至247VAR
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代理商: IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 125
°
C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 40A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
20
40
60
80
100
IF (A)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
E
4.7
22
47
100
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
600V
800V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRGPS40B120UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 8-25kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS60B120KD 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube