參數(shù)資料
型號： IRGPS40B120UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 40A條一（c）|至247VAR
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代理商： IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD
6
www.irf.com
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 125
°
C; L=200μH; V
CE
= 600V
R
G
= 4.7
; V
GE
= 15V
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 125
°
C; L=200μH; V
CE
= 600V
R
G
= 4.7
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 125
°
C; L=200μH; V
CE
= 600V
I
CE
= 40A; V
GE
= 15V
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 125
°
C; L=200μH; V
CE
= 600V
I
CE
= 40A; V
GE
= 15V
0
20
40
60
80
IC (A)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
E
EOFF
EON
20
40
60
80
IC (A)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
5
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15
20
25
RG (
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
E
EON
EOFF
0
5
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15
20
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RG (
)
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGS14B40L TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR
IRGTDN100M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C)
IRGTDN150M06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGPS40B120UDP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS40B120UP 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGPS40B120UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 8-25kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS60B120KD 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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