參數(shù)資料
型號： IRGPS40B120UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|至247VAR
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代理商： IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25
°
C; T
JS
≤
150
°
C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150
°
C; V
GE
=15V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (
°
C)
0
20
40
60
80
100
IC
0
50
100
150
200
TC (
°
C)
0
100
200
300
400
500
600
700
Pt
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.1
1
10
100
1000
IC
2 μs
10 μs
100 μs
1ms
10ms
DC
10
100
1000
10000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGS14B40L TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR
IRGTDN100M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C)
IRGTDN150M06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)
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參數(shù)描述
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IRGPS60B120KD 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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