參數(shù)資料
型號(hào)： IRGIB15B60KD1
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： IRGIB15B60KD1
IRGIB15B60KD1
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 15A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 15A; T
J
= 150°C
0
5
10
15
20
25
30
IF (A)
0
5
10
15
20
25
IR
RG = 200
RG = 22
RG = 47
RG = 100
0
40
80
120
160
200
RG (
)
0
4
8
12
16
20
24
IR
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
4
8
12
16
20
24
IR
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
0
500
1000
1500
QR
22
47
100
200
30A
15A
7.5A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGIB6B60KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGP20B120UD-EP insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery didoe
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參數(shù)描述
IRGIB15B60KD1P 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB6B60KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB6B60KD116P 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB7B60KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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