參數(shù)資料
型號: IRGIB15B60KD1
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù): 4/12頁
文件大?。?/td> 287K
代理商: IRGIB15B60KD1
IRGIB15B60KD1
4
www.irf.com
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 60μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 60μs
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 60μs
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp = 60μs
0
2
4
6
VCE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0
2
4
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VCE (V)
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IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
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2
4
6
VCE (V)
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2
4
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8
10
12
14
16
18
20
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VF (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
IF
-40°C
25°C
150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGIB6B60KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGP20B120UD-EP insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery didoe
IRGP30B120KD-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Motor Control Co-Pack IGBT
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參數(shù)描述
IRGIB15B60KD1P 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB6B60KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB6B60KD116P 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB7B60KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE