參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB5B120KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大?。?/td> 287K
代理商： IRGB5B120KDPBF
IRGB5B120KDPbF
8
www.irf.com
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 125°C
Fig. 23
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 6.0A; L = 600μH
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
0
5
10
15
20
25
30
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
600V
800V
0
2
4
6
8
10
IF (A)
0
100
200
300
400
500
E
50
150
270
470
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PDF描述
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