參數(shù)資料
型號： IRG4IBC30UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 325K
代理商： IRG4IBC30UDPBF
4
www.irf.com
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 6
- Maximum IGBT Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
A
I = 24A
C
I = 12A
C
I = 6.0A
C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
4
8
12
16
20
M
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4MC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR
IRG4PC20UPBF UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )
IRG4PC30FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4IBC30WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4MC30FSCV 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 28A 3PIN TO-254AA - Bulk
IRG4MC30FSCX 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 28A 3PIN TO-254AA - Bulk
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