參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4IBC30SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRG4IBC30SPBF
IRG4IBC30SPbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0.1
1
10
100
5
6
7
8
9
10
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
o
T = 150 C
o
0.1
1
10
100
f , Frequency ( kHz )
0
5
10
15
20
L
For both:
Duty cycle : 50%
Tj = 125°C
Tsink = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 7.0W
Power Dissipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
Triangular wave:
I
Clamp voltage:
80% of rated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4IBC30UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4MC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR
IRG4PC20UPBF UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4IBC30UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30W 功能描述:IGBT WARP 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4MC30F 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 28A 3PIN TO-254AA - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N-CH 600V 28AMPS 3 PIN
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