參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4IBC30SPBF
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 200K
代理商： IRG4IBC30SPBF
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
600
23.5
13.0
68
68
± 20
10
45
18
V
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
°C
IRG4IBC30SPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD - 95637
E
C
G
N-channel
Features
Benefits
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.4V
@V
GE
= 15V, I
C
= 18A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
2.8
65
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
2.1 (0.075)
g (oz)
Thermal Resistance
7/23/04
www.irf.com
1
Standard: Optimized for minimum saturation
voltage and low operating freqencies (<1 kHz)
Generation 4 IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generation
Industry standard TO-220 Full-Pak
Lead-Free
Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
IGBTs optimized for specific application conditions
Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
industry -standard Generation 3 IR IGBTs
TO-220 Full-Pak
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4IBC30UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4MC40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR
IRG4PC20UPBF UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4IBC30UD 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4IBC30W 功能描述:IGBT WARP 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4IBC30WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp 60-150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4MC30F 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 28A 3PIN TO-254AA - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N-CH 600V 28AMPS 3 PIN
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