參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC40U
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.72V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 20A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 169K
代理商： IRG4BC40U
www.irf.com
5
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
100
120
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
A
V = 400V
I = 20A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
R = 10
V = 15V
V = 480V
A
I = 40A
C
I = 20A
I = 10A
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
10
20
30
40
50
60
T
R , Gate Resistance (
)
A
V = 480V
V = 15V
T = 25
°
C
I = 20A
C
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BH20K-LPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
IRG4IBC10UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT
IRG4IBC10UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20UDPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.4 to 5.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRG4IBC30KDPBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS151N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
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參數(shù)描述
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IRG4BC40WL 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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