參數資料
型號： IRG4BC40U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.72V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 20A條）
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代理商： IRG4BC40U
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
T
C
= 25
°
C
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
4
6
8
10
12
C
I
T = 25
°
C
T = 150
°
C
V , Gate-to-Em itter Voltage (V)
A
V = 10V
5μs PULSE W IDTH
1
10
100
1000
0.1
1
10
C
I
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150
°
C
T = 25
°
C
J
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
A
0
10
20
30
40
50
60
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
F or both:
Duty cycle: 50%
T J
°
C
T sink
°
C
Gate drive as specified
Power D issipation = 28W
Triangular wave:
I
C lamp voltage:
80% of rated
L
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BH20K-LPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
IRG4IBC10UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGBT
IRG4IBC10UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20UDPBF Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.4 to 5.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
IRG4IBC30KDPBF Replacement for Texas Instruments part number SN74LS151N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRG4BC40WL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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