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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC30UDPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管超快速IGBT的CoPack |
| 文件頁數(shù)： | 9/11頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | IRG4BC30UDPBF |
IRG4BC30UDPbF
www.irf.com
9
Vg GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
19.
20.
R
L
=
480V
4 X I
C
@25°C
0 - 480V
18.
18'
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC30U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| IRG4BC30W-SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4BC40FPBF | Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT |
| IRG4BC40F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A) |
| IRG4BC40SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC30UD-S | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D |
| IRG4BC30UPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC30US | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| IRG4BC30U-S | 功能描述:IGBT UFAST 600V 23A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BC30U-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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