參數(shù)資料
型號(hào): IRG4BC30UDPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: General-Purpose Power-Supply Monitor and Sequence Controller; 48-TQFP
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管超快速IGBT的CoPack
文件頁數(shù): 6/11頁
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代理商: IRG4BC30UDPBF
IRG4BC30UDPbF
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
SAFE OPERATING AREA
V = 20V
T = 125°C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
I , Collector-to-Emitter Current (A)
A
R = 23
T = 150°C
V = 480V
V = 15V
GE
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4BC30W-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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IRG4BC40F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30UD-S 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A COPAK D2PAK / IGBT : JA / D
IRG4BC30UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30US 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
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IRG4BC30U-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube