參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC30U-S
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. = 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管IGBT的速度超快速（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）的典型。\u003d 1.95V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 12A條）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： IRG4BC30U-S
IRG4BC30K-S
www.irf.com
5
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0
20
40
60
80
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 16A
CC
C
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
0.5
1.0
1.5
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 16A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
32
I = A
16
I = A
8
1
10
100
0
300
600
900
1200
1500
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
8.0A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC30UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4BC30KD-SPBF INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC30K Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4BC30S-SPBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 2280; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 271; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 324; Temp.: AUTO
IRG4BC30S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BC30U-SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC30U-STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 23.000A D2PAK / IGBT : JA / DISCRET
IRG4BC30U-STRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 23AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4BC30W 功能描述:IGBT WARP 600V 23A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BC30W_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)
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