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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ34VL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Advanced Process Technology |
| 中文描述： | 先進(jìn)的工藝技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | IRFZ34VL |
IRFZ34VS/IRFZ34VL
www.irf.com
7
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ34VS | Advanced Process Technology |
| IRFZ34 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A) |
| IRFZ34VLPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFZ34VSPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFZ44EPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ34VLPBF | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFZ34VPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 30A TO-220 |
| IRFZ34VS | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology |
| IRFZ34VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 30A D2-PAK |
| IRFZ35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
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