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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ34VL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Advanced Process Technology |
| 中文描述： | 先進(jìn)的工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | IRFZ34VL |
IRFZ34VS/IRFZ34VL
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
400
800
1200
1600
2000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
30A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ34VS | Advanced Process Technology |
| IRFZ34 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A) |
| IRFZ34VLPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFZ34VSPbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFZ44EPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ34VLPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFZ34VPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 30A TO-220 |
| IRFZ34VS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology |
| IRFZ34VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 30A D2-PAK |
| IRFZ35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
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