參數(shù)資料
型號： IRFZ34NS
廠商： International Rectifier
元件分類： MOSFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 161K
代理商： IRFZ34NS
IRFZ34NS/L
Tape & Reel Information
D
2
Pak
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice. 8/97
3
4
4
TRR
FE ED DIRECTION
1.85 (.073)
1.65 (.065)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
TRL
FEED DIRECTION
10.90 (.429)
10.70 (.421)
16.10 (.634)
15.90 (.626)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
13.50 (.532)
12.80 (.504)
330.00
(14.173)
M AX.
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
60.00 (2.362)
MIN.
30.40 (1.197)
MAX.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
NOT ES :
1. CO MFOR MS TO EIA-418.
2. CO NTRO LLIN G DIM EN SION : M ILLIM ETER .
3. DIM ENSIO N M EASURED @ HUB.
4. INC LU DES FLAN GE DISTORTION @ OUTER ED GE.
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ34N N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
IRFZ34VL Advanced Process Technology
IRFZ34VS Advanced Process Technology
IRFZ34 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.040ohm, Id=26A)
IRFZ34VLPbF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ34NSPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ34NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ34NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ34NSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ34NSTRRPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*