參數(shù)資料
型號： IRFS550A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 21 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： IRFS550A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by “R
G
”
I
S
controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
IRFS550A
相關PDF資料
PDF描述
IRFS620A N-Channel Power MOSFET（200V，0.8Ω，4.1A）(N溝道功率MOS場效應管（漏源電壓200V，導通電阻0.8Ω，漏電流4.1A）)
IRFS640 200V N-Channel MOSFET
IRFS640B 200V N-Channel MOSFET
IRFS650A Advanced Power MOSFET
IRFS650B 200V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS5615PBF 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 150V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5615TRLPBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5620PBF 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 200V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5620PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 200V 24A D2-PAK
IRFS5620TRLPBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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