參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS550A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Advanced Power MOSFET
中文描述： 21 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 264K
代理商： IRFS550A
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
175
Operating Temperature
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.032 (Typ.)
Advanced Power MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
R
JC
R
JA
θ
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
Continuous Drain Current (T
C
=100
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
C
=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
)
)
)
Characteristic
Value
100
21
14.8
160
+
_
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
A
TO-220F
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
O
1
O
O
1
O
1
2
O
3
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
Ο
C
θ
IRFS550A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.04
I
D
= 21 A
588
21
4.6
6.5
46
0.31
- 55 to +175
300
3.27
62.5
--
--
2
0
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS620A N-Channel Power MOSFET（200V，0.8Ω，4.1A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓200V，導(dǎo)通電阻0.8Ω，漏電流4.1A）)
IRFS640 200V N-Channel MOSFET
IRFS640B 200V N-Channel MOSFET
IRFS650A Advanced Power MOSFET
IRFS650B 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFS5615PBF 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 150V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5615TRLPBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5620PBF 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 200V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS5620PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 200V 24A D2-PAK
IRFS5620TRLPBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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