參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP90N20D
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： CAP,TANT,100UF,10V,LOW ESR,D PKG
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.023ohm，身份證\u003d 94A章）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： IRFP90N20D
IRFP90N20D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
420
840
1260
1680
2100
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
23A
40A
56A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP9140N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRFP9240 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-12A)
IRFP9240 12A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFPC30 10 UF CAP 35V TANT CASE C
IRFPC40 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.8A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP90N20DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP90N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP9130 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9131 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS
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